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          【特氣應用】常見半導體淀積工藝及材料

          添加時間:2016-02-17 09:09:57      【 】   打印   關閉窗口

                     淀積的薄膜廣泛地應用于現代超大規模集成電路的制造中,用的最多的多晶硅、二氧化硅、氮化硅等。較為普遍的淀積方法有常壓化學氣相淀積、低壓化學氣相淀積、等離子體輔助化學氣相淀積。

          多晶硅通常通過600-650時熱分解硅烷制的,在MOS器件中可用作柵極材料,在多層布線中可作為導電材料,也可作為淺結器件的接觸材料。

          二氧化硅介質材料通常用作導電層絕緣、擴散和離子植入時的淹膜、摻雜氧化物的擴散、對雜質進行吸雜及保護元器件。

          氮化硅能阻擋鈉離子的擴散,幾乎不透氣及具有很低的氧化速率,主要作為氧化掩膜及柵極介質。


          CVD Film Raw Material
          SiO2 SiH4+CO2+H2
          SiCl2H2+N2O
          SiH4+H2O
          SiH4+NO
          Si(OC2H5)4
          SiH4+O2
          SiH4+NO2
          Si3N4 SiH4+NH3
          SiCl2H2+NH3
          SiH4+N2
          Si SiH4
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