【特氣應用】常見半導體淀積工藝及材料

添加時間：2016-02-17 09:09:57 【大中小】打印關閉窗口

淀積的薄膜廣泛地應用于現代超大規模集成電路的制造中，用的最多的多晶硅、二氧化硅、氮化硅等。較為普遍的淀積方法有常壓化學氣相淀積、低壓化學氣相淀積、等離子體輔助化學氣相淀積。

多晶硅通常通過600-650時熱分解硅烷制的，在MOS器件中可用作柵極材料，在多層布線中可作為導電材料，也可作為淺結器件的接觸材料。

二氧化硅介質材料通常用作導電層絕緣、擴散和離子植入時的淹膜、摻雜氧化物的擴散、對雜質進行吸雜及保護元器件。

氮化硅能阻擋鈉離子的擴散，幾乎不透氣及具有很低的氧化速率，主要作為氧化掩膜及柵極介質。